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Western Digital 3D NAND基盤iNANDエンベデッドフラッシュドライブ新製品発表記者懇談会

記事入力 : March 1, 2018, 11:40 pm
ACROFAN=權 容滿 | yongman.kwon@acrofan.com | SNS
Western Digitalは12月11日、ソウル江南区グランドインターコンチネンタルホテルで記者懇談会を開き、向上されたモバイル体験のための新しいiNANDエンベデッドフラッシュドライブ(Embedded Flash Drive、以下EFD)ポートフォリオを公開した。今回の新製品は64段3D NAND技術とともに向上されたUFS及びe.MMCインタフェース技術が融合されて高い性能と広い容量を提供する。

Western Digitalの新製品であるiNAND 8521 EFDはデータ使用量が多いユーザーのためのフラッグシップモバイルデバイスに最適化された製品で、先端規格であるUFS 2.1インターフェイスとWestern Digitalの新しい5世代スマートSLC(Smart Single Level Cell)技術が適用された。既存のフラッグシップスマートフォン用iNANDモバイルソリューションiであるNAND 7250に比べ2倍以上の順次書き込み速度と10倍以上高速なランダム書き込み速度を提供し、VRゲームプレイとHDムービーダウンロードもより迅速に処理可能することができる。

一緒に披露する新製品のiNAND 7550 EFDは豊富な容量と素早いアプリケーションの経験を提供してモバイル製造企業が消費者のニーズに合致する費用効率の高いスマートフォンとコンピューティングデバイスを生産することができるように助ける。最新のe.MMC 5.1規格で順次書き込み速度最大260MB/s、ランダム読み取り速度20,000 IOPS及びランダム書き込み速度15,000 IOPSを提供し、Western Digitalのe.MMCインターフェースベースのiNAND EFD製品の中で最も優れた性能を提供する。

 
▲Western Digitalエンベデッドおよび統合ソリューション部分韓国及び日本製品マーケティング担当のイ・ソンベ常務

Western Digital社のエンベデッドおよび統合ソリューション部分韓国及び日本製品マーケティング担当のイ・ソンベ常務はこの席で、Western Digitalは現在大抵の不揮発性メモリ素子を扱っており、ハードドライブからSSD、エンベデッドおよびリムーバブルフラッシュメモリ、ストレージ関連システムを含む多様で幅広いストレージポートフォリオを備えていると紹介した。また、Western Digitalの特徴としては「垂直的統合ビジネスモデル」が挙げられたが、設計から事後管理まですべての過程を自主的に行うことができる能力を備えており、データ保存やアクセス、活用の革新をリードすることができる有利な位置にあると付け加えた。

より多くのデータを集め、それをより迅速に処理するためストレージにはより大きな容量とより高い性能が求められている。そしてこれを導く重要な流れとしては「ビッグデータ」と「ファーストデータ」、そして集めたデータに基づいて分析、学習して成長していく人工知能の活用などが挙げられた。このときストレージに市場が要求するトレンドにはより多くのデータ保存、固定されたデータや持続形成されるデータなどあらゆる状況で高い性能の発揮などが挙げられた。また、この部分でWestern Digitalは96段3D NAND技術発表や単一チップ容量512Gb実装などで継続的な技術のリーダーシップを維持していると明らかにした。

モバイル環境でも「データ集約的」な性格が現れており、これはスマートフォンに搭載されたストレージ容量を継続的に拡大している。ネットワーク接続速度はますます上がっており、現在使用しているスマートフォンの平均容量も年平均46%ほど急速に増加する傾向であり、2018年末のスマートフォン台当たりの平均ストレージ容量は60GB台に至ると予想されている。そしてこのような容量増加を導く要素としては早いネットワークと鮮やかな画面、より高品質の容量や大きいコンテンツなどが挙げられた。

今後2020年までネットワークに接続された「コネクテッドデバイス」は500億台に達すると予想されており、5Gはこれらのデバイスを接続するバックボーンに当たり、脊椎および神経網クシステムを構成することになるものと期待されている。そして人工知能は日常生活やエンターテイメント、自律走行面に至るまで日常のすべての部分に影響を与えるものと期待され、人工知能関連市場も2025年まで急成長を続けていくと予想されていると紹介された。
人工知能アプリケーションは現在顔、音声、手書き認識、および多くのデータの学習を通じた効率改善、光学文字認識などで活用されており人工的創造性、仮想現実及びイメージ処理、ゲーム理論やゲームAIなども人工知能の活用が拡張されると予想される。そしてすでにこれらのアプリケーションの相当な部分がサービスの形としてご提供しているところでもあり、今後は単にプログラムによる順次進行を超え友人や同僚の存在で、アクセントと趣味、性格など個性に合わせた機器や人が機械から自由であるくらいの自律走行なども実装することができるものと期待している。

現在の人工知能が事前定義された規則集合に基づく分析であれば、将来的には芸術的創作活動を含めより多くのデータを保有した状態で人よりも早く有能に知能を備えることもできると期待されている。この他にもAR、VRもまた多くのデータが必要とされる領域であり、「エッジプロセッシング」でもより迅速なプロセッサと電源効率のためのマルチコアエンジン、継続的に情報を収集するためのセンサーの増加、脈絡的理解とリアルタイムフィードバックなどが主な特徴として数えられ、これらの部分でも大容量のデータを保存して処理するための高性能大容量ストレージが必要になると付け加えた。

モバイルビデオやイメージに関連するトレンドではインターネット全体のトラフィックのうちモバイルデータの割合が2016年8%程度から現在は20%近くに急増しており、特にモバイルビデオはモバイルデータタイプの中で最も高い増加率を記録し、2021年には2016年比で870%増加して全体モバイルデータトラフィックのうち78%を占めると予想されると紹介した。また、今日の消費者の70%がTVやビデオをスマートフォンで観ており、2020年には画面の種類別に全ビデオを見るの割合でモバイルの割合が全体の半分を占めると予想されると述べた。

スマートフォンで活用されているビデオ規格の変化はますます大容量を必要としており、FHDからUHD、8Kにしながら従来よりもはるかに大きなストレージ容量が必要になると予想されている。また、スマートフォンでの写真もますます品質が高まりより多くの容量を使用して使用量も増加していると明らかにした。これと共に「急増するモバイルアプリケーション」もまたストレージ容量増加の原因の一つとして挙げられたが、さらに様々なアプリケーションの登場・活用とともに個々のアプリケーションが使用する容量自体がより大きくなっているという点も重要な部分として挙げた。

 
▲両製品とも前世代より性能と耐久性の両方が高まった

Western DigitalのiNAND 8521 EFDはデータ使用量が多いユーザーのためのフラッグシップモバイルデバイスに最適化された製品で、先端規格であるUFS 2.1インターフェイスとWestern Digitalの新しい5世代スマートSLC(Smart Single Level Cell)技術が適用された。従来より大幅に向上された800MB/s順次読み込みと500MB/sの順次書き込み速度、50K IOPSランダム読み込みと45K IOPSのランダム書き込み速度を提供し、高い性能を通じてモバイルユーザーの使用者体験を最適化することができるものと紹介された。

また、iNAND 8521 EFDは64レイヤーの3D NAND技術を使用してセルの干渉の影響を低し、iLDPC ECCエンジンを結合して優れた耐久性と性能を一緒に提供すると述べた。特に現在使用されている64レイヤーの3D NANDは既存の2Dプランナー構造ではかつて56nm時代に比肩されるほどのセル間の間隔でセル間の干渉を低し、小面積で高容量を実現しながらも信頼性を確保することができたと付け加えた。 32GBから256GBまでのモデルが提供され、耐久性は容量に応じて35〜280TBWに達する。

一緒に披露するiNAND 7550 EFDは豊富な容量と素早いアプリケーションの経験を提供してモバイル製造企業が消費者のニーズに合致する価額対比性能の高いスマートフォンとコンピューティングデバイスを生産することができるように助ける。最新e.MMC 5.1規格で順次書き込み速度最大260MB/s、ランダム読み取り速度20,000 IOPSとランダム書き込み速度15,000 IOPSを提供し、4世代スマートSLC技術を使用する。この製品はまた64段3D NAND技術を使用しており、耐久性の面では容量に応じて40〜320TBWを提供する。

 
▲次世代デバイスのストレージ容量に関連して多様なニーズを満たすためびiNAND製品群


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